3818 00 Kemiska grundämnen, dopade för användning inom elektroniken, i form av skivor, plattor eller liknande former; kemiska föreningar, dopade för användning inom elektroniken

Import till EU

EUDR

Omfattas inte

Källor: Tullverket (Tulltaxan), EUR-Lex · cn2026. Ursprungsland, förmånstull och nästa steg ›

Nummer under 3818 00

• 3818 00 11 Plattor med en tjocklek av högst 200 mikrometer, rektangulära, med eller utan tillskurna eller rundade hörn (så kallade solcellsplattor)
• 3818 00 19 Andra
• 3818 00 90 Andra

Varor som har klassificerats här

Exempel ur EU:s databas över bindande klassificeringsbesked (BKB/BTI). Beskeden gäller bara för sin innehavare och många har löpt ut — se dem som vägledning, inte som beslut för din vara.

• DOPED SILICON (SILICON IS DOPED WITH CARBITE SiC) IN THE FORM OF A TARGET FOR THE DEPOSITION ON SEMI CONDUCTOR WAFERS, APPROXIMATE DIAMETER 330MM, THICKNESS 3MM, DENSITY 2.3 - 2.7 G/CM3, PRODUCT IS IN DISC FORM.

  3818 00 90 · GB 2009 · GB118129287

• DOPED SILICON DISKS MACHINED INTO A PARTICULAR SHAPE FOR USE IN THE MANUFACTURE OF CDs AND DVDs

  3818 00 10 · IE 2009 · IE09NT-14-43

• INDIUM PHOSPHIDE SUBSTRATES (WAFER FORM). THE SUBSTRATES ARE GROWN FROM A SINGLE CRYSTAL CYLINDER OF INDIUM PHOSPHIDE MATERIAL WHICH IS THEN CUT INTO SLICES (SUBSTRATES) AND THE SLICES ARE POLISHED. THE COMPOUND IS DOPED WITH IRON OR SULPHUR. EPITAXIAL LAYERS WILL BE GROWN ON THE SUBSTRATES TO CREATE EPITAXIAL WAFERS FOR USE IN THE ELECTRONICS INDUSTRY.

  3818 00 90 · GB 2008 · GB117238483